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光刻胶的参数

赛米莱德生产、销售光刻胶,我们为您分析该产品的以下信息。

分辨率

分辨率英文名:resolution。区别硅片表-邻图形特征的能力,一般用关键尺寸cd,critical dimension来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。

对比度

对比度contrast指光刻胶从-区到非-区过渡的陡度。对比度越好,形成图形的侧壁越陡峭,分辨率越好。

敏感度

敏感度sensitivity光刻胶上产生一个-的图形所需一定波长光的能量值或-量。单位:毫焦/平方厘米或mj/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光duv、极深紫外光euv等尤为重要。

粘滞性黏度

粘滞性/黏度viscosity是衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的粘滞性,就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重sg,specific gravity是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体,粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位:泊poise,光刻胶一般用厘泊cps,厘泊为1%泊来度量。百分泊即厘泊为粘滞率;运动粘滞率定义为:运动粘滞率=粘滞率/比重。 单位:百分斯托克斯cs=cps/sg。

粘附性

粘附性adherence表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺刻蚀、离子注入等。

抗蚀性

抗蚀性anti-etching光刻胶必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。

表面张力

液体-表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力surface tension,使光刻胶具有-的流动性和覆盖。



负性光刻胶原理

又称光致抗蚀剂,是一种由感光树脂、增感剂见光谱增料和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。

原理

光刻胶在接受一定波长的光或者射线时,会相应的发生一种光化学反应或者激励作用。光化学反应中的光吸收是在化学键合中起作用的处于原子外层的电子由基态转入激励态时引起的。对于有机物,基态与激励态的能量差为3~6ev,相当于该能量差的光(即波长为0.2~0.4μm的光)被有机物-吸收,使在化学键合中起作用的电子转入激励态。化学键合在受到这种激励时,或者分离或者改变键合对象,发生化学变化。电子束、x射线及离子束(即被加速的粒子)注入物质后,因与物质具有的电子相互作用,能量逐渐消失。电子束失去的能量转移到物质的电子中,因此生成激励状态的电子或二次电子或离子。这些电子或离子均可诱发光刻胶的化学反应。

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光刻胶:半导体技术壁垒较高的材料之一

光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺,耗时占ic制造50%左右,成本约占ic生产成本的1/3。光刻胶是光刻过程重要的耗材,光刻胶的对光刻工艺有着重要影响。

光刻是将图形由掩膜版上转移到硅片上,为后续的刻蚀步骤作准备。在光刻过程中,需在硅片上涂一层光刻胶,经紫外线-后,光刻胶的化学性质发生变化,在通过显-,被-的光刻胶将被去除,从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程,实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。在刻蚀过程中,光刻胶起防腐蚀的保护作用。

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