光刻胶,正性光刻胶,光刻胶公司
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硅片制造中,光刻胶的目的主要有两个:1将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中;2在后续工艺中,保护下面的材料例如刻蚀或离子注入阻挡层。
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光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。图1是正性胶的显影工艺与负性胶显影工艺对比结果示意图 [2] 。
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光刻胶市场需求逐年增加,2018年全球半导体光刻胶销售额12.97亿美元,而国内光刻胶需求量方面,2011年光刻胶需求量为3.51万吨,到2017年需求量为7.99万吨,年复合增长率达14.69%。
国内光刻胶需求量远大于本土产量,且差额逐年扩大。由于中国-光刻胶市场起步晚,目前技术水平相对落后,生产产能主要集中在pcb光刻胶、tn/stn-lcd光刻胶等中低端产品,tft-lcd、半导体光刻胶等高技术壁垒产品产能很少。
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光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺,耗时占ic制造50%左右,成本约占ic生产成本的1/3。光刻胶是光刻过程重要的耗材,光刻胶的对光刻工艺有着重要影响。
光刻是将图形由掩膜版上转移到硅片上,为后续的刻蚀步骤作准备。在光刻过程中,需在硅片上涂一层光刻胶,经紫外线-后,光刻胶的化学性质发生变化,在通过显-,被-的光刻胶将被去除,从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程,实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。在刻蚀过程中,光刻胶起防腐蚀的保护作用。
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