光刻胶,正性光刻胶,光刻胶公司
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光刻胶又称光致抗蚀剂,是光刻工艺的关键化学品,主要利用光化学反应将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上,被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作,下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工,同时在 led、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用,是微细加工技术的关键性材料。光刻胶的主要成分为树脂、单体、光引发剂及添加助剂四类。其中,树脂约占 50%,单体约占35%,光引发剂及添加助剂约占15%。
1.灵敏度sensitivity
灵敏度是衡量光刻胶-速度的指标。光刻胶的灵敏度越高,所需的-剂量越小。单位:毫焦/平方厘米或mj/cm2。
2.分辨率resolution
区别硅片表-邻图形特征的能力。一般用关键尺寸cd,critical dimension来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。
光刻胶的分辨率是一个综合指标,影响该指标的因素通常有如下3个方面:
(1) -系统的分辨率。
(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。
(3) 前烘、-、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。
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光刻胶产品种类多、-性强,是典型的技术密集型行业。不同用途的光刻胶-光源、反应机理、制造工艺、成膜特性、加工图形线路的精度等性能要求不同,导致对于材料的感光性能、溶解性、耐蚀刻性、耐热性等要求不同。因此每一类光刻胶使用的原料在化学结构、性能上都比较特殊,要求使用不同品质等级的光刻胶-化学品。
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