光刻胶,正性光刻胶,光刻胶公司
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工艺角度普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着-加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高-系统分辨率的性能，人们正在研究在-光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而-光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。 -系统伴随着新一代-技术ngl的研究与发展，为了-的满足其所能实现光刻分辨率的同时，光刻胶也相应发展。--技术对光刻胶的性能要求也越来越高。光刻胶的铺展如何使光刻胶均匀地，按理想厚度铺展在器件表面，实现工业化生产。光刻胶的材料从光刻胶的材料考虑进行-。
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光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，-是近年来-和-规模集成电路的发展，更是大-进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。
1、光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶。反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。
2、普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着-加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高-系统分辨率的性能，人们正在研究在-光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而-光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。
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光刻胶又称光致抗蚀剂,是光刻工艺的关键化学品,主要利用光化学反应将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上,被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作,下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工,同时在 led、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用,是微细加工技术的关键性材料。光刻胶的主要成分为树脂、单体、光引发剂及添加助剂四类。其中,树脂约占 50%,单体约占35%,光引发剂及添加助剂约占15%。
光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外-或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。
光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显-，-的负性光刻胶或未-的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，然后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。
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