NR9 3000PY光刻胶价格厂家报价

光刻胶分类

市场上，光刻胶产品依据不同标准，可以进行分类。依照化学反应和显影原理分类，光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。使用正性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相同；使用负性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相反。

按照感光树脂的化学结构分类，光刻胶可以分为光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特点；光分解型，采用含有-醌类化合物的材料，其经光照后,发生光分解反应，可以制成正性胶；光交联型，采用-月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，可以制成负性光刻胶。同种厚度的正负胶，在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶-，正胶-。

按照-波长分类，光刻胶可分为紫外光刻胶300~450nm、深紫外光刻胶160~280nm、极紫外光刻胶euv，13.5nm、电子束光刻胶、离子束光刻胶、x射线光刻胶等。随着-加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。不同-波长的光刻胶，其适用的光刻-分辨率不同，通常来说，在使用工艺方法一致的情况下，波长越小，加工分辨率越佳。

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四、前烘soft bake

完成光刻胶的涂抹之后，需要进行软烘干操作，这一步骤也被称为前烘。前烘能够蒸发光刻胶中的溶剂溶剂、能使涂覆的光刻胶更薄。

在液态的光刻胶中，溶剂成分占65％－85％。近些年来，全球半导体厂商在中国-投设多家工厂，如台积电南京厂、联电厦门厂、英特尔大连厂、三星电子西安厂、力晶合肥厂等。虽然在甩胶之后，液态的光刻胶已经成为固态的薄膜，但仍有10％－30％的溶剂，容易沾污灰尘。通过在较高温度下进行烘培，可以使溶剂从光刻胶中挥发出来前烘后溶剂含量降至5％左右，从而降低了灰尘的沾污。同时，这一步骤还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力，从而提高光刻胶 衬底上的附着性。

在前烘过程中，由于溶剂挥发，光刻胶厚度也会减薄，一般减薄的幅度为10％－20％左右。

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