光刻胶,正性光刻胶,光刻胶公司
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赛米莱德生产、销售光刻胶,我们为您分析该产品的以下信息。
分辨率
分辨率英文名:resolution。区别硅片表-邻图形特征的能力,一般用关键尺寸cd,critical dimension来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。
对比度
对比度contrast指光刻胶从-区到非-区过渡的陡度。对比度越好,形成图形的侧壁越陡峭,分辨率越好。
敏感度
敏感度sensitivity光刻胶上产生一个-的图形所需一定波长光的能量值或-量。单位:毫焦/平方厘米或mj/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光duv、极深紫外光euv等尤为重要。
粘滞性黏度
粘滞性/黏度viscosity是衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的粘滞性,就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重sg,specific gravity是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体,粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位:泊poise,光刻胶一般用厘泊cps,厘泊为1%泊来度量。百分泊即厘泊为粘滞率;运动粘滞率定义为:运动粘滞率=粘滞率/比重。 单位:百分斯托克斯cs=cps/sg。
粘附性
粘附性adherence表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺刻蚀、离子注入等。
抗蚀性
抗蚀性anti-etching光刻胶必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。
表面张力
液体-表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力surface tension,使光刻胶具有-的流动性和覆盖。
	
	
光刻加工工艺中为了图形转移,辐照必须作用在光刻胶上,通过改变光刻胶材料的性质,使得在完成光刻工艺后,光刻版图形被在圆片的表面。而加工前,如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是的,但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑,需要对光刻胶进行合理的选择。
划分光刻胶的一个基本的类别是它的极性。光刻胶在-之后,被浸入显影溶液中。在显影过程中,正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下,未-的区域保持不变。负性光刻胶正好相反,在显影剂中未-的区域将溶解,而-的区域被保留。正性胶的分辨力往往是的,因此在ic制造中的应用更为普及,但mems系统中,由于加工要求相对较低,光刻胶需求量大,负性胶仍有应用市场。
	
光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和pcb光刻胶。其中,半导体光刻胶的技术壁垒较高。
从技术水平来看,在pcb领域,国产光刻胶具备了一定的技术和量产能力,已经实现对主流厂商大批量供货。
赛米莱德以诚信为首 ,服务为宗旨。公司生产、销售光刻胶,公司拥有-的销售团队和经营理念。想要了解更多信息,赶快拨打图片上的热线电话!
	
	
在-过程中,正性胶通过感光化学反应,切断树脂聚合体主链和从链之间的联系,达到削弱聚合体的目的,所以-后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。-后的光刻胶溶解速度几乎是未-的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶,在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密,并且从链下坠物增长,所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在-区间显影,负性胶则相反。负性胶由于-区间得到保留,漫射形成的轮廓使显-的图像为上宽下窄的图像,而正性胶相反,为下宽上窄的图像。
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