NR9 3000P光刻胶报价源头-厂家,赛米莱德公司

光刻胶京东方

事实上，我国是在缺乏经验、缺乏-人才，缺失关键上游原材料的条件下，全靠自己摸索。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。近年来，尽管光刻胶研发有了一定突破，但国产光刻胶还是用不起来。目前，国外阻抗已达到15次方以上，而国内企业只能做到10次方，满足不了客户工艺要求和产品升级的要求，有的工艺虽达标了，但批次稳定性不好。

“10次方的光刻胶经过多次烘烤，由于达不到客户需求的防静电作用，不能应用到新一代窄边框等面板上。而国外做到15次方就有了-的防静电作用。这还是我们的光刻胶材料、配方、生产工艺方面存在问题。”李中强说。

关键指标达不到要求，国内企业始终受制于人。就拿在国际上具有一定竞争实力的京东方来说，目前已建立17个面板显示生产基地，其中，有16个已经投产。但京东方用于面板的光刻胶，仍然由国外企业提供。

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6，坚膜

坚膜也叫后烘，是为了去除由于显影液的浸泡引起胶膜软化、溶胀现象，能使胶膜附着能力增强，康腐蚀能力提高。8刻蚀就是将涂胶前所垫基的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的那部分进行腐蚀掉，达到将光刻胶上的图形转移到下层材料的目的。坚膜温度通常情况高于前烘和-后烘烤的温度 100-140度 10-30min,7，显影检验,光刻胶钻蚀、图像尺寸变化、套刻对准-、光刻胶膜损伤、线条是否齐、陡，针kong、小岛。

8刻蚀

就是将涂胶前所垫基的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的那部分进行腐蚀掉，达到将光刻胶上的图形转移到下层材料的目的。湿法刻蚀，sio2,al, poly-si 等薄膜，干法腐蚀。

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正胶pr1-2000a1技术资料

正胶pr1-2000a1是为-波长为365 或者436纳米，可用于晶圆步进器、扫描投影对准器、近程打印机和接触式打印机等工具。pr1-2000a1可以满足对附着能力较高的要求，在使用pr1-2000a1时一般不需要增粘剂，如hmds。

相对于其他的光刻胶，pr1-2000a1有如下的一些额外的优势：

peb，不需要后烘的步骤；

较高的分别率；

快速显影；

较强的线宽控制；

蚀刻后去胶效果好；

在室温下有效期长达2年。