光刻胶,正性光刻胶,光刻胶公司
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为了避免光刻胶线条的倒塌，线宽越小的光刻工艺，就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。为此，研发了含si的光刻胶，这种含si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料常被称作underlayer，其对光是不敏感的。-显-，利用氧等离子体刻蚀，把光刻胶上的图形转移到underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下，含si的光刻胶刻蚀速率远小于underlayer，具有较高的刻蚀选择性 [2] 。含有si的光刻胶是使用分子结构中有si的有机材料合成的，例如硅氧烷，，含si的树脂等
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。
光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过-后，受到光照的部分变得容易溶解，经过显-被溶解，只留下未受光照的部分形成图形；而负胶却恰恰相反，经过-后，受到光照的部分会变得不易溶解，经过显-，留下光照部分形成图形。
负胶在光刻工艺上应用早，其工艺成本低、产量高，但由于它吸收显影液后会膨胀，导致其分辨率即光刻工艺中所能形成图形不如正胶，因此对于亚微米甚至更小尺寸的加工技术，主要使用正胶作为光刻胶。
光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和pcb光刻胶。其中，半导体光刻胶的技术壁垒较高。
从技术水平来看，在pcb领域，国产光刻胶具备了一定的技术和量产能力，已经实现对主流厂商大批量供货。
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分辨率、对比度和敏感度是光刻胶的-参数。随着集成电路的发展，芯片制造特征尺寸越来越小，对光刻胶的要求也越来越高。光刻胶的-参数包括分辨率、对比度和敏感度等。为了满足集成电路发展的需要，光刻胶朝着高分辨率、高对比度以及高敏感度等方向发展。
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