负性光刻胶

负性光刻胶

负性光刻胶分为粘性增强负性光刻胶、加工负性光刻胶、剥离处理用负性光刻胶三种。

a、粘性增强负性光刻胶

粘性增强负胶的应用是在设计制造中替代基于聚异戊二烯双-的负胶。粘性增强负胶的特性是在湿刻和电镀应用时的粘附力；很容易用光胶剥离器去除，厚度范围是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波长-。

粘性增强负胶对生产量的影响，消除了基于溶液的显影和基于溶液冲洗过程的步骤。优于传统正胶的优势：控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到-的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的-度进而增强-通量、更快的显影，100 μm的光胶显影仅需6 ～ 8分钟、光胶-时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、不必使用粘度增强剂。影响显影的效果主要因素：1，-时间，2前烘温度和时间，3光刻胶膜厚，4显影液浓度温度，5显影液的搅动情况。

i线-用粘度增强负胶系列：np9–250p、np9–1000p、np9–1500p、np9–3000p、np9–6000p、np9–8000、np9–8000p、np9–20000p。

g和h线-用粘度增强负胶系列：np9g–250p、np9g–1000p、np9g–1500p、np9g–3000p、np9g–6000p、np9g–8000。

 b、加工负胶

    加工负胶的应用是替代用于rie加工及离子植入的正胶。加工负胶的特性在rie加工时优异的选择性以及在离子植入时优异的温度阻抗，厚度范围是﹤0.1 ～ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波长-。

    加工负胶优于正胶的优势是控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到-的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的-度进而增强-通量、更快的显影，100 μm的光胶显影仅需6 ～ 8分钟、光胶-时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、优异的温度阻抗直至180 ℃、在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度，从而提高刻蚀速度和刻蚀通量、非常容易进行高能量离子减薄、不必使用粘度促进剂。首先光刻胶被从容器中取出滴布到置于涂胶机中的样品表面，(由真空负压将样品固定在样品台上)，样品然后高速旋转，转速由胶粘度和希望胶厚度确定。

用于i线-的加工负胶系列：nr71-250p、nr71-350p、nr71-1000p、nr71-1500p、nr71-3000p、nr71-6000p、nr5-8000。

光刻胶的重要性

在北京化工大学理学院-聂俊眼里，我国虽然已成为半导体生产大国，但面板产业整体产业链仍较为落后。光刻胶趋势半导体光刻胶领域全球市场规模趋于稳定，2017年全球市场约13。目前，上游电子化学品lcd用光刻胶几乎全部依赖进口，必须加快面板产业关键-材料基础研究与产业化进程，才能支撑我国微电子产业未来发展及国际“-”的确立。

“假如我们把光刻机比作一把菜刀，那么光刻胶就好比是要切割的菜，没有高的菜，即使有了锋利的菜刀，也无法做出一道佳肴。”日前，江苏博砚电子科技有限公司技术部章宇轩在接受科技--采访时说。

光刻的工序

下面我们来详细介绍一下光刻的工序：

一、清洗硅片wafer clean

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性

基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。

自1970年美国rca实验室提出的浸泡式rca化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年rca实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以rca清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国fsi公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原cfm公司推出的full-flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国verteq公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术例goldfinger mach2清洗系统、美国ssec公司的双面檫洗技术例m3304 dss清洗系统、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术用电介超纯离子水清洗使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以hf / o3为基础的硅片化学清洗技术。目前，上游电子化学品lcd用光刻胶几乎全部依赖进口，必须加快面板产业关键-材料基础研究与产业化进程，才能支撑我国微电子产业未来发展及国际“-”的确立。

nr9-250p

20．有没有光刻胶pc3-6000的资料吗？

a pc3-6000并不是光刻胶，它是用在chip

on glass 上的胶粘剂。

21．是否有wax替代品？

a pc3-6000可替代wax做晶片和玻璃的固定，比较容易去除掉。

22．贵公司是否有粘接硅衬底和衬底的材料？

a 有，ic1-200就是

23．请问是否有不用hmds步骤的正性光刻胶？

a 美国futurrex 整个系列的光刻胶都不需要hmds步骤，都可以简化。

24．一般电话咨询光刻胶，我们应该向客户咨询哪些资料？

a 1 需要知道要涂在什么材质上，2

还有要知道需要做的膜厚，3

还要知道光刻胶的分辨率

4还有需要正胶还是负胶，5

需要国产还是进口的

27．想找一款膜厚在120um，的光刻胶，有什么光刻胶可以做到啊！

a 以前有使用过美国有款光刻胶可以达到futurrex

nr21-20000p ，。

28．有没有了解一款美国futurrex

nr9-250p的光刻胶，请教下？

a 这是一款负性光刻胶，湿法蚀刻使用的，附着力-，耐100度的温度，国内也有可以代理的公司，futurre

光刻胶是第4大的电子化学品制造商，在光刻胶的领域有着-的声誉，在太阳能光伏，和led半导体行业都有-的市场占有率。

29．想找款膜厚的产品，进行蚀刻，有什么好？

a 厚膜应用thick

film applicati，主要是指高纵横比aspect

ratios,高分辨率，高反差，有几款产品向你一下《nr4-8000p，nr2-20000p，nr5-8000，这些产品都需要用到边胶清洗液》

的光刻