光刻胶,正性光刻胶,光刻胶公司
北京赛米莱德贸易有限公司
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主营：光刻胶,正性光刻胶,光刻胶公司
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赛米莱德生产、销售光刻胶，我们为您分析该产品的以下信息。
分辨率
分辨率英文名：resolution。区别硅片表-邻图形特征的能力,一般用关键尺寸cd，critical dimension来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。
对比度
对比度contrast指光刻胶从-区到非-区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。
敏感度
敏感度sensitivity光刻胶上产生一个-的图形所需一定波长光的能量值或-量。单位：毫焦/平方厘米或mj/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光duv、极深紫外光euv等尤为重要。
粘滞性黏度
粘滞性/黏度viscosity是衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加；高的粘滞性会产生厚的光刻胶；越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重sg，specific gravity是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体，粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位：泊poise，光刻胶一般用厘泊cps，厘泊为1%泊来度量。百分泊即厘泊为粘滞率；运动粘滞率定义为：运动粘滞率=粘滞率/比重。 单位：百分斯托克斯cs=cps/sg。
粘附性
粘附性adherence表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺刻蚀、离子注入等。
抗蚀性
抗蚀性anti-etching光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。
表面张力
液体-表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力surface tension，使光刻胶具有-的流动性和覆盖。
工艺角度普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着-加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高-系统分辨率的性能，人们正在研究在-光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而-光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。 -系统伴随着新一代-技术ngl的研究与发展，为了-的满足其所能实现光刻分辨率的同时，光刻胶也相应发展。--技术对光刻胶的性能要求也越来越高。光刻胶的铺展如何使光刻胶均匀地，按理想厚度铺展在器件表面，实现工业化生产。光刻胶的材料从光刻胶的材料考虑进行-。
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感光树脂经光照后，在-区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，-是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像见图光致抗蚀剂成像制版过程。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特点。光分解型，采用含有-醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。光交联型，采用-月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品kpr胶即属此类。感光树脂在用近紫外光辐照成像时，光的波长会-分辨率见感光材料的提高。为进一步提高分辨率以满足-规模集成电路工艺的要求，必须采用波长更短的辐射作为光源。由此产生电子束、x 射线和深紫外(<250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶，x射线刻蚀胶和深紫外线刻蚀胶，所刻蚀的线条可细至1□m以下。
光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺，耗时占ic制造50%左右，成本约占ic生产成本的1/3。光刻胶是光刻过程重要的耗材，光刻胶的对光刻工艺有着重要影响。
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