光刻胶,正性光刻胶,光刻胶公司
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根据化学反应机理和显影原理的不同,光刻胶可以分为负性胶和正性胶。对某些溶剂可溶,但经-后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂不可溶,经-后变成可溶的为正性胶。 从需求端来看,光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和pcb光刻胶。其中,半导体光刻胶的技术壁垒较高。
光刻胶产品种类多、-性强,是典型的技术密集型行业。不同用途的光刻胶-光源、反应机理、制造工艺、成膜特性、加工图形线路的精度等性能要求不同,导致对于材料的溶解性、耐蚀刻性、耐热性等要求不同。因此每一类光刻胶使用的原料在化学结构、性能上都比较特殊,要求使用不同品质等级的光刻胶-化学品。
1.灵敏度sensitivity
灵敏度是衡量光刻胶-速度的指标。光刻胶的灵敏度越高,所需的-剂量越小。单位:毫焦/平方厘米或mj/cm2。
2.分辨率resolution
区别硅片表-邻图形特征的能力。一般用关键尺寸cd,critical dimension来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。
光刻胶的分辨率是一个综合指标,影响该指标的因素通常有如下3个方面:
(1) -系统的分辨率。
(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。
(3) 前烘、-、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。
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在-过程中,正性胶通过感光化学反应,切断树脂聚合体主链和从链之间的联系,达到削弱聚合体的目的,所以-后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。-后的光刻胶溶解速度几乎是未-的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶,在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密,并且从链下坠物增长,所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在-区间显影,负性胶则相反。负性胶由于-区间得到保留,漫射形成的轮廓使显-的图像为上宽下窄的图像,而正性胶相反,为下宽上窄的图像。
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